网站首页 新闻放映厅 新闻学院 新闻搜索 小民新闻 军事新闻 深度新闻 文化新闻
 
站内搜索:

热门文章

随机文章

您现在的位置:主页 > 新闻搜索 > 新闻搜索
克服人性的极限!英特尔将首次发布3纳米工艺
发布于:2019-02-07 20:13 点击量:   打印本页 || 关闭窗口
击败人性的极限!
英特尔首次发布了3纳米工艺
2017-09-1916:09:44来源:科技快作者:Q编辑上一篇:Q评论文(0)
猜猜你想看到什么:英特尔CPU 5纳米3纳米
近年来,英特尔新技术的步伐明显放缓。三星和台积电都很傲慢,不遵守海关。节点的名称相当随机。16nm的优化称为12nm,并且一次推高10/9/8/7/6/5nm。
这个版本的英特尔并不快,但听它真的很混乱。毕竟,她似乎并不是自发的。
在今天复杂的制造日,英特尔将其自己的10 MHz工艺与台积电和三星进行了比较,并试图证明它是真正的10纳米。
面对未来,英特尔已准备好许多优质卡,10纳米产品即将发布,7纳米基本准备好,5纳米,3纳米也计划。
从英特尔的路线图,在5nm和3nm的前列仍然在研究,如何实现一个完整的,虽然量产仍是未知数,在任何情况下,这是由英特尔技术的追求这意味着。硅半导体将是坚实的
为实现5纳米,3纳米,英特尔正在边境进行大量技术研究。
- 纳米线晶体管:它被认为是未来技术的一种选择,因为纳米线的结构提供了更好的信道质量,这进一步最小化了晶体管栅极的长度。
-III-V材料:虽然硅是MOSFET通道的常用材料,但砷化镓和磷化铟等III-V材料可提高载流子迁移率,从而获得更高或更低的性能你也一样。它以低电压和低有功功率运行。
- 3D堆叠:硅晶片的3D堆叠有机会在小地方集成系统并结合不同的技术。
- 高密度存储器:正在探索和开发各种不同的高密度存储器选项,包括易失性和非易失性存储技术。
- 高密度互连:在微调过程中,小型互连与小型晶体管一样重要。
正在探索新材料和设计技术以支持高密度互连。
- 使用极紫外光刻(EUV):13。
波长为5纳米。
今天的193纳米的微型工具,因为已经达到了极限,技术,以实现更大的微缩模型已经被开发。
- 自旋电子学:超越CMOS的技术。如果CMOS不再能够小型化,则可以选择提供高密度的低功耗电路。
- 神经元计算:不同的处理器设计和架构,其执行多种计算功能,其能效比当前计算机高得多。
没有人知道摩尔定律的局限性。
有趣的是,台积电一年前宣布了5纳米和3纳米的计划,并称有300到400人在3纳米工作,但没有透露细节。
公众搜索号码微信将能够掌握更加周到的“家”,最新的手机,电脑,汽车,智能硬件信息。
推荐关注!
[以下微信扫描可能直接相关]

上一篇:FN在笔记本电脑键盘上意味着什么?    下一篇:没有了